SSD накопители: Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
20 товаров из 54
54 товара
SSD накопитель Samsung 980 1Tb (MZ-V8V1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 1Tb (MZ-V7S1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 980 500Gb (MZ-V8V500BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Объем буфера обмена:
512 МБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3100 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Goodram PX500 Gen2 1Tb (SSDPR-PX500-01T-80-G2)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2050 МБ/с
Скорость записи:
1650 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Hynix BC711 256Gb (HFM256GD3JX013N)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2100 МБ/с
Скорость записи:
1700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Apacer 1Tb (AS2280P4X)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2100 МБ/с
Скорость записи:
1700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 500Gb (MZ-V7S500BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 250Gb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Adata XPG Gammix S11 Pro 512Gb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC
SSD накопитель Patriot P310 240Gb (P310P240GM28)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
240 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
1700 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS2280P4U 2Tb (AP2TBAS2280P4U-1)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Transcend 400S 1Tb (TS1TMTE400S)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2000 МБ/с
Скорость записи:
1700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Samsung 970 PRO 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
MLC
SSD накопитель Transcend 220S 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2800 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot P300 128Gb (P300P128GM28)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
128 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
1600 МБ/с
Скорость записи:
600 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Transcend 115S 1Tb (TS1TMTE115S)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3200 МБ/с
Скорость записи:
2000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Transcend 110S 128Gb (TS128GMTE110S)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
128 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
1600 МБ/с
Скорость записи:
400 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot P300 256Gb (P300P256GM28)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
1700 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 250Gb (MZ-V8V250BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2900 МБ/с
Скорость записи:
1300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель MediaRange 1Tb Black (MR1033)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2200 МБ/с
Скорость записи:
1800 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND