SSD накопители: Samsung; Форм-фактор M.2
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
20 товаров из 24
24 товара
SSD накопитель Samsung 980 PRO 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 1Tb (MZ-V8V1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 1Tb (MZ-V7S1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb (MZ-V9P1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb (MZ-V9P2T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 500Gb (MZ-V8V500BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Объем буфера обмена:
512 МБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3100 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 PRO 2Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5100 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 500Gb (MZ-V7S500BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 980 PRO 1Tb with Heatsink
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 970 PRO 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
MLC
SSD накопитель Samsung 980 PRO 2Tb (MZ-V8P2T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5100 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND MLC
SSD накопитель Samsung 980 PRO 2Tb with Heatsink
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5100 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb with Heatsink (MZ-V9P1T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 980 PRO 500Gb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
500 ГБ
Объем буфера обмена:
512 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
6900 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 250Gb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 980 250Gb (MZ-V8V250BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2900 МБ/с
Скорость записи:
1300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb with Heatsink (MZ-V9P2T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung PM9A1 1Tb (MZVL21T0HCLR-00B00)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5100 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4200 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND