SSD накопители: GoodRam; Время наработки на отказ 1800000 ч
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
3 товара из 3
3 товара
SSD накопитель Goodram IRDM 1Tb (IR-SSDPR-P34B-01T-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3200 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Goodram IRDM 512Gb (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3200 МБ/с
Скорость записи:
2000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Goodram IRDM 256Gb (IR-SSDPR-P34B-256-80)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3000 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1800000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND